Transistor

Bipolartransistor (BJT) – Grundlagen

Formel
\( I_C = \beta \cdot I_B \)
Kollektorstrom (Verstärkung)
\( I_E = I_C + I_B \)
Emitterstrom
\( U_{BE} \approx 0.7\,\mathrm{V} \)
Basis‑Emitter‑Spannung (Si‑Transistor)
\( \beta = \frac{I_C}{I_B} \)
Stromverstärkungsfaktor
\( P = U_C \cdot I_C \)
Verlustleistung am Transistor

BJT – Arbeitspunkt

Formel
\( U_{CE} = U_C – I_C \cdot R_C \)
Kollektor‑Emitter‑Spannung
\( I_B = \frac{U_B – U_{BE}}{R_B} \)
Basisstrom bei Basisschaltung
\( I_C = \beta \cdot I_B \)
Kollektorstrom aus Basisstrom

MOSFET – Grundlagen

Formel
\( I_D = k \left( U_{GS} – U_{th} \right)^2 \)
Drainstrom im Sättigungsbereich
\( U_{GS} > U_{th} \)
Transistor leitet (Einschaltbedingung)
\( R_{DS(on)} \)
Durchlasswiderstand im eingeschalteten Zustand
\( P = U_{DS} \cdot I_D \)
Verlustleistung am MOSFET

MOSFET – Schaltbetrieb

Formel
\( I_D = \frac{U_{DS}}{R_{DS(on)}} \)
Drainstrom im eingeschalteten Zustand
\( P_{on} = I_D^2 \cdot R_{DS(on)} \)
Verlustleistung im eingeschalteten Zustand
\( P_{sw} = \frac{1}{2} U_{DS} I_D (t_r + t_f) f \)
Schaltverluste